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當前位置:首頁產品展示光學儀器埃賽力達美國埃賽力達二極管C30724EH—硅APD

美國埃賽力達二極管C30724EH—硅APD
產品簡介:

美國埃賽力達二極管C30724EH—硅APDC30724EH硅雪崩光電二極管(Si APD)采用金屬TO封裝,提供920 nm的峰值靈敏度和低溫系數。

產品型號:

更新時間:2026-03-25

廠商性質:代理商

訪 問 量 :57

服務熱線

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品牌Excelitas/加拿大價格區間面議
照射方式外照式光源種類其他光源
應用領域綜合

美國埃賽力達二極管C30724EH—硅APD

美國埃賽力達二極管C30724EH—硅APD

美國埃賽力達二極管C30724EH—硅APD

C30724EH硅雪崩光電二極管(Si APD)采用金屬TO封裝,提供920 nm的峰值靈敏度和低溫系數。

C30724系列APD在800至950 nm的波長范圍內具有高響應度,上升和下降時間約為5 ns,下降時間無“拖尾"特征。該系列APD非常適合大體積905 nm激光測距應用,可在固定電壓下工作,無需溫度補償。C30724EH的特別之處是采用氣密TO-18金屬封裝。

主要特性:


采用金屬TO罐體封裝帶905 nm濾光片的Si APD

5 ns上升+下降時間-無拖尾

低放大倍數下運行

無需溫度補償


關鍵應用:


激光測距

激光測距儀

交通測速槍


感光面積:0.2mm2

感光直徑:0.5 mm

擊穿電壓:350V

電容:1 pF

暗電流:20 nA

增益:>12、15、<18

噪聲電流:0.1pA/√Hz

封裝:TO-18

峰值靈敏度波長:920 nm

光敏直徑:0.5 mm

光敏直徑:0.5 mm

響應度:在920 nm處為8.5 A/W

上升/下降時間:5 ns

總暗電流(基板+表面):20 nA

工作電壓范圍:150-200 V

波長:400-1100nm


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