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產(chǎn)品展示

當(dāng)前位置:首頁(yè)產(chǎn)品展示光學(xué)儀器埃賽力達(dá)美國(guó)埃賽力達(dá)高性能銦鎵砷APD C30645

美國(guó)埃賽力達(dá)高性能銦鎵砷APD C30645
產(chǎn)品簡(jiǎn)介:

美國(guó)埃賽力達(dá)高性能銦鎵砷APD C30645系列采用多種大面積InGaAs雪崩光電二極管(APD),具有200µm的有效感光面積。埃賽力達(dá)InGaAs APD可在1000nm至1700nm的光譜范圍內(nèi)提供高量子效率(QE)、穩(wěn)定響應(yīng)度和低噪聲。

產(chǎn)品型號(hào):

更新時(shí)間:2026-03-25

廠商性質(zhì):代理商

訪 問 量 :43

服務(wù)熱線

028-68749778

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品牌Excelitas/加拿大價(jià)格區(qū)間面議
照射方式外照式光源種類其他光源
應(yīng)用領(lǐng)域綜合

美國(guó)埃賽力達(dá)高性能銦鎵砷APD C30645

美國(guó)埃賽力達(dá)高性能銦鎵砷APD C30645

美國(guó)埃賽力達(dá)高性能銦鎵砷APD C30645

C30662系列采用多種大面積InGaAs雪崩光電二極管(APD),具有200µm的有效感光面積。埃賽力達(dá)InGaAs APD可在1000nm至1700nm的光譜范圍內(nèi)提供高量子效率(QE)、穩(wěn)定響應(yīng)度和低噪聲。這些器件以密封的TO-18封裝形式或在陶瓷載體上提供。陶瓷表面安裝式封裝便于輕松集成到大容量應(yīng)用中。

埃賽力達(dá)C30662系列提供高帶寬和低噪聲,使OEM和系統(tǒng)制造商能夠以信噪比(SNR)實(shí)現(xiàn)的噪聲規(guī)范。新增強(qiáng)的低噪聲選項(xiàng)提高了LiDAR和人眼安全測(cè)距系統(tǒng)的范圍和性能,同時(shí)保持相同的激光輸出功率。此外,在檢測(cè)拉曼散射信號(hào)時(shí),分布式溫度傳感 (DTS) 和分布式聲學(xué)傳感 (DAS) 等相干光時(shí)域反射計(jì) (OTDR) 和光纖傳感應(yīng)用可在較遠(yuǎn)距離上提高靈敏度。

規(guī)格

文檔


系列型號(hào)    封裝類型    窗口材料    窗口孔徑    留言    

C30662ECERH    陶瓷載體    不適用    不適用    

C30662ECERH-1    ΔV > 4 V    

C30662EH    TO- , 引腳    玻璃1    大2    

C30662EH-1    ΔV > 4 V    

C30662EH-2    TO- , 引腳    3. 接地引腳    

C30662EH-137    TO- , 引腳    小    低噪聲,
ΔV > 4 V    

C30662EH-3    

C30662EH-5    硅    小2    

C30662EH-7    玻璃1    大2    低噪音    

C30662EH-27    TO- , 引腳    低噪聲,
3. 接地引腳    

C30662L-200    SMD    不適用    

C30662L-200-1    硅    

C30662L-200-7    玻璃1    低噪音    

C30662L-200-17    硅    


注意1:玻璃材料對(duì)于可見光和IR波長(zhǎng)是透明的,而硅會(huì)阻擋波長(zhǎng)高達(dá)約1.1µm的可見光。

注意2:AR涂層窗口。


參數(shù)    符號(hào)    最小值    典型值        單位    

上升時(shí)間/下降時(shí)間    tr/tf    0.4    ns    

帶寬    f3dB    600    850    MHz    

電容    標(biāo)準(zhǔn)    C    2.5    pF    

SMD    C    2.7    

暗電流    標(biāo)準(zhǔn)    iD    13    35    nA    

低噪聲    iD    7.5    15    

暗噪聲    標(biāo)準(zhǔn)    iN    0.45    1    pA/√(Hz)    

低噪聲    iN    0.35    0.5    

等效噪聲功率    標(biāo)準(zhǔn)    NEP    48    106    fW/√(Hz)    

等效噪聲功率    低噪聲    NEP    37    53    

工作增益    M    10    20    

擊穿的工作點(diǎn)    ΔV    4    V    


參數(shù)    符號(hào)    最小值    典型值        單位    

擊穿電壓    VBD    45    50    70    V    

光譜范圍    Δλ    1000    1700    nm    

量子效率    QE    75    %    

在1550nm處的響應(yīng)度    R    9.3    A/W    

VBD的溫度系數(shù)    ΔV/ΔT    0.14    0.2    V/°C    

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